公司为国内锗产业链龙头企业 未来半导体业务前景巨大

2021/7/8 14:00:22 | 广州万隆·证券研究中心

  云南锗业(002428)个股报告

  

  基本亮点:

  

  1,公司为国内锗产业链龙头企业,锗矿资源丰富,锗产品销量全国第一,是目前国内最大的锗系列产品生产商和供应商。公司加速拓宽下游产业链,公司非锗半导体材料等。公司目前已有砷化镓单晶片生产线,产能为 80 万片/年(折合四寸),产品结构也由原来的LED 级别产品为主逐渐向低位错、半绝缘级别转变, 更加符合市场需求,是华为武汉国内首个芯片厂(光通信芯片跟模块)的供应商。另外,公司还有 3 万片的 6 英寸碳化硅项目正在建设当中。

  

  2,华为以激光雷达 Tier1 身份投资了鑫耀半导体、裕太微电子、纵慧芯光、南京芯视界、炬光科技等多家国内 Tier2 供应商。其中, 公司其中子公司鑫耀半导体(目前华为哈勃投资持股 23.91%)主要产品包括砷化镓单晶片、磷化铟单晶片等 III-V 族半导体衬底片,是垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光通信用激光器和探测器的必备原材料。磷化铟单晶片是未来 6G 通信、激光雷达等领域核心的原材料,长线想象空间大。


  关注点:

  

  1,业绩情况;

  

  2,订单情况;

  

  分析

  

  1,第二、三代半导体

  

  按照业界约定俗成的“断代法”,半导体材料分为第一代、第二代和第三代半导体材料。第一代半导体材料以硅(Si)为代表,已经拥有了广泛的产业群众基础,形成了庞大市场规模,摩尔定律驱动下的纳米级工艺升级,12 寸、18 寸及越来越大的大硅片,也是同样万众瞩目;第一代半导体材料还有一个那就是锗晶片。


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  第一代、第二代、第三代,很自然的一般投资者认为第二代比第一代牛,第三代比第二代先进,更是完全秒杀第一代。实际上,这种目前市场上这种观点是不对的,第一代半导体、第二代半导体,第三代半导体主要根据它们出现的时间,然后是根据它们的电压和适用范围来划分的。第一代也好,第二代也罢,还是第三代,都有各自的电压和各自的适用范围,根本就不存在谁能取代谁的问题,那就更不存在谁比谁更先进的问题。

  

  半导体材料经过几十年的发展,可以分为三代:第一代半导体材料:锗、硅等单晶半导体材料,硅拥有 1.1eV 的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料:砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料,砷化镓拥有 1.4 电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子迁移率。第三代半导体材料:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,有更高饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点,适合大功率、高温、高频、抗辐照应用场合。三代半导体材料特性参数比较:


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  第一代的半导体材料:硅(Si)、锗(Ge)。在半导体材料的发展历史上,1990 年代之前,作为第一代的半导体材料以硅材料为主占绝对的统治地位。目前,半导体器件和集成电路仍然主要是用硅晶体材料制造的,硅器件构成了全球销售的所有半导体产品的 95%以上。硅半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个信息产业的飞跃。最为代表的就是当下最最先进的电脑级处理器 cpu 和手机处理器。第一代半导体锗。主要是太阳能电池用锗单晶片,光纤四氯化锗。


  第二代半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料崭露头角,并显示其巨大的优越性。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件,同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。(砷化镓的物理特性,电压中等,功耗低,适用于所有的 5G 通信终端以及 5G 中小基站、汽车无人驾驶雷达等)在现在的5G 大时代,没有砷化镓功率放大器,你的 5G 网络就没办法运行。第二代半导体以砷化镓(GaAs),下一代 5G 技术,其传输速度将是现行 4GLTE 的 100 倍,目前只有砷化镓功率放大器可以实现如此快速的资料传输。而随着 5G 的普及,基站 PA,手机用砷化稼元件市场需求还将继续提升。作为目前最为成熟的化合物半导体之一,无线通信的普及与硅在高频特性上的限制共同催生砷化镓材料脱颖而出,所以可以看到砷化镓的应用几乎无处不在,同时智能手机中的射频前端模组的功率放大器(PA) 、开关(Switch)的主流材料也依然成为了砷化镓,在无线通讯领域得到大规模应用。根据 Yole Development 关于砷化镓研报中,可以参考一下,将砷化镓应用分为 RF(射频), PHOTONICS(光电子), LED(发光二极管)和 PV(光伏发电)四大领域。


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  在这四大领域中,以 RF(射频)占比最高,以半绝缘性砷化镓为主,应用于手机 PA 和Switch,基站射频等方面 ;其次为 LED(发光二极管),以半导体型砷化镓材料为主。随着手机 3D 面部感应渗透率提高、大容量光纤通信激光器的需求拉动,以 VECSEL 为代表的PHOTONICS(光电子)也将成为砷化镓增长的驱动力之一。5G 通信网络,从基站端和使用端(包括手机,以及所有需要5G 通信的设备,比如物联网设备,汽车无人驾驶的通信设备,机器人的通信设备,甚至包括医疗远程诊断的智能设备等)来进行分析。


  砷化镓应用于射频领域,主要环节是 PA,即 Power Amplifier(功率放大器),就是将无线通信信号放大的器件。经过 PA 放大的信号,最终从手机或者基站发射出去,属于通信设备高能耗环节。当然,基站和手机,用到的 PA 材料也不尽相同。5G 基站 PA,以砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)为主;(宏基站,氮化镓占主流,而在小基站领域,砷化镓占主流)2025 年,LDMOS 占比将下降到 15%,氮化镓占比将上升到 45%,而砷化镓占比约为40%。主要原因是 Si 材料 LDMOS 工艺制作的 PA,已经不能满足 5G 高频、高速、高功率等性能要求;而氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的核心,具有“完美”的性能,但有一个确定,就是价格过于昂贵。由于 LDMOS 在高频方面受限,GaAs 在高功率方面受限,因此,在宏基站领域,氮化镓(GaN)PA 将成为主流,而在小基站领域,对性能要求没那么高,砷化镓(GaAs)拥有性价比高的绝对优势,还将维持市场份额。手机领域的 PA 5G 时代就只有砷化镓,因为氮化镓的 PA 耗电大,所以不太适合终端设备,所以 5G时代,几乎所有的终端设备,都是用砷化镓来实现5G通信的。终端设备:(包括手机,以及所有需要5G 通信的设备,比如物联网设备,汽车无人驾驶的通信设备,机器人的通信设备,甚至包括医疗远程诊断的智能设备等)被“卡脖子”的砷化镓。自从华为成为美国摧毁中国科技信心的靶子之后,对华为制裁的不断升级。作为应对措施,华为也在稳步推动“备胎计划”的实施。海外厂商垄断 PA 和 GaAs 衬底市场,国产替代空间广阔根据 Yole 数据,从全球前端射频功率放大器市场看,Skyworks、Qorvo、博通Avago 等市占率合计高达 93%。而半绝缘 GaAs 单晶衬底也均被日本住友电气、德国费里博格以及美国 AXT 等少数厂商垄断,全球市场 CR3 高达 95%。而目前国内 GaAs 单晶厂商仍以 LED 芯片用低阻抛光片为主,射频元器件用大尺寸、半绝缘 GaAs 衬底尚未规模生产,国产替代空间广阔。


  第二代半导体材料:磷化铟 (InP):

  

  磷化铟在未来的 6G 或者 8G 时代,不光是你的基站--通信卫星离不开它,而且你的手机里通信也离不开它。甚至,未来任何需要超大数据流量,超快数据速度的都离不开它。比如在未来的无人驾驶汽车时代,在未来的万物智能时代,在未来的智能机器人时代,还有在未来的 AR,VR 等混合现时,最最科幻的全息技术时代,所有这些技术的真正实现都离不它的支持。一句话,在 6G 大时代,没有磷化锢就没有 6G 网络。6G 的特点是建立基于卫星的互联网,6G 的基站就是通信卫星,而不是光纤和基站。而这些通信卫星要实现 6G 的功能,必须是用磷化铟做为基础。基础设施工作主要在太空完成,主要是卫星发射和部署。通过 6G 通信卫星所组成的星链网络,真正形成了一个海陆空一体化的通信网络,真正实现了地球的万物互联时代,那时你在地球的任何一个地方,都可以有网络信号,包括没有人的沙漠,和南北极等,因为这些地方的通信 6G 通信卫星完全可以覆盖。6G 芯片是 5G 下一代技术,2020 年 1 月日本 NTT 宣布研发出磷化铟(InP)化合物半导体制造的 6G 超高速芯片,6G 芯片速度将是 5G 技术的 40 倍。超快速率、超低延迟,我们都知道在 5G 技术中所涉及的是 10-1 毫米电磁波频段,而到了 6G 技术之后,将直接放弃电磁波,变成使用3000-30 微米的太赫兹波,而之所以更换的最重要原因就是在在传输的速率上会有一个非常大的提升,从理论上来说可以高达 5G 的一千倍。


  另外,第二个现在的 5G 时代,无人驾驶汽车要想真正实现 L4、L5 级别的,必须用激光雷达,而激光雷达的必须品就是磷化锢。(Lumentum 公司是世界最最有名的激光器件企业,特别在无人驾驶的激光雷达市场那更是一枝独秀,连特斯拉现在改用无人驾驶的激光雷达就是买它的,它也是 NASDAQ 的上市公司,Lumentum 公司其激光雷达采用的 1550nm 光源即为磷化铟材料,CEO 更指出磷化铟在激光雷达市场巨大的长期市场机遇,并表示在未来 18 月内将磷化铟晶圆制造能力扩大一倍。而且也扩大了砷化镓器件的产能。


  华为激光雷达:华为凭借在光电领域的深厚积累,以激光雷达 Tier1 身份广泛投资光电半导体企业, 赋能国内 Tier2,推动国产供应链崛起。华为采用多振镜 MEMS 方案降本的关键在于其在光电领域多年的技术积累已形成领先优势,规模化采购激光发射器和接收器 的成本亦比传统激光雷达更低。基于此,华为以激光雷达 Tier1 身份投资了鑫耀半导体、裕太微电子、纵慧芯光、南京芯视界、炬光科技等多家国内 Tier2 供应商。其中,鑫耀半导体(公司子公司,目前华为哈勃投资持股 23.91%)主要产品包括砷化镓单晶片、磷化铟单晶片等 III-V 族半导体衬底片,是垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光通信用激光器和探测器的必备原材料。


  第三代半导体材料:氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)。第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料 P 型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的,它在光显示、光存储、光照明等领域将有广阔的应用前景。


  以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈,与第一代、第二代半导体技术互补,对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。氮化镓和碳化硅,电压比砷化镓电压高,功耗高。适用于所有的 5G 宏基站、汽车无人驾驶雷达等。因为氮化镓电压高,功耗高的特点,所以没办法用于终端的通信了。氮化镓适合中低压,655 伏以下,主要应用场景是快充,手机快充消费电子快充等电力电子领域(电流电压的功率变换)它们两者之间有不同的赛道。碳化硅适合中高压,650 伏以上的电压等级。主要应用场景是新能源汽车、光伏逆变器以及工业的一些应用领域。 近年来,新能源汽车产业迅猛发展,成为硅功率器件市场扩展的重要推动力。碳化硅功率器件已经迅速进入新能源充电桩、车载充电器、电机控制器等应用领域。特别是在电机控制器方面,使用碳化硅功率器件,可以减少电机控制器80%的体积、70%的重量,最高效率可以达到 99%。这些优势将有效的提升新能源汽车的持续续航能力、空间利用等关键性能指标。


  中国有全球最大的新能源汽车产业,并且作为国家重要的战略发展规划,其发展规模将长期保持高速扩展。新能源汽车将保持 22%增长率,SiC 在该领域增长率将 49%,核心芯片国产化率不足 2%,SiC 功率器件国产替代空间十分广阔。但目前国内新能源汽车核心芯片国产化率却不足 2%,其核心功率器件基本依赖进口,这导致费用昂贵,供应链稳定性差,整车电驱系统成本高昂,并且供应受制于人。一旦在未来几年,国外电动汽车产业规模扩大,并和国内同行形成全方位竞争后,核心功率器件很可能成为卡住国内车厂的命门,现实和未来都需要尽快解决自主碳化硅功率芯片的核心技术,车规级的碳化硅功率芯片的国产化进程刻不容缓。在碳化硅功率器件产业领域,以美国的 Cree 公司、日本的罗姆半导体公司为代表的国外碳化硅功率器件产业处于绝对领先地位,并且形成了巨头垄断局面。国内碳化硅 MOSFET 芯片技术尚处于研发阶段,芯片技术成熟度有待提升。


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  目前国产 4 英寸 SiC 衬底,国际上碳化硅功率器件厂商已经基本都进入了六英寸时代,未来几年很可能迈向八英寸时代,在六英寸和八英寸衬底技术和产能方面,与国际都还存在比较大的差距。


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  行业发展趋势:更高电压 SiC 器件实现产业应用。在碳化硅功率器件的电压等级方面,目前商用的电压等级只是覆盖到了 600 伏到 1700 伏,相信在现有基础上,3300 伏到6500 伏电压等级的碳化硅功率器件也将迅速进入产品化推广阶段。在不远的未来,相信1 万伏电压等级的碳化硅 MOSFET,甚至 2 万伏等级的碳化硅 IGBT 产品也将迅速进入我们的视野。


  3.3-10kV SiC MOSFET 等单极型器件进步显著,进入验证阶段;SiC 的 IGBT 等双极型器件的电性能不断提升,击穿电压达 25kV 以上,但其封装、可靠性等方面问题突出。


  2,国内锗产业链龙头

  

  公司是一家拥有较为完整产业链的锗行业上市公司,拥有丰富、优质的锗矿资源, 锗产品销量全国第一,是目前国内最大的锗系列产品生产商和供应商。公司旗下拥有 6 个矿山,累计锗金属储量 897 吨,分别占云南省、中国和全球锗资源储量的 80%、28%和 11%。近年来,公司锗 矿产量占中国和全球比重一直较高,且持续增加。2018 年云南锗业锗矿总体产量达 到 50.7 吨,占中国总供给量的 53%,占全球的 39%。


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  公司目前锗材料级产品主要为区熔锗锭、二氧化锗;深加工方面,光伏级锗产品主 要为太阳能锗衬底片,红外锗系列产品主要为红外级锗单晶(光学元件)、锗镜片、 镜头、红外热像仪,光纤级锗产品为光纤用四氯化锗,非锗半导体材料级产品主要 为砷化镓单晶片、磷化铟单晶片。公司产品主要运用包括红外光学、太阳能电池、 光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、大功率激光器、光通信用激光器和探测器领域。目前公司主营锗材料(锗锭、二氧化锗)目前依然是主营收入(40%左右)、非锗半导体(10%)、红外锗(15%、光纤锗 15%、光伏锗 10%左右比例。美国虽然是全球最大的锗资源储量 国,但锗资源主要以与 Pb+Zn 矿伴生为主,锗的产量受制于 Pb+Zn 矿的产量,增长潜能较低。自 1984 年以来,美国就将锗作为国防储备资源进行保护,尤其是近几年已 基本不再进行锗的开采。中国锗资源储量占全球 41%,年产量占全球 71%,可开采利用 锗较为充足,每年都有大量的锗出口到美国、德国、加拿大等国家,是全球最主要 的锗出口国,长期供应着全球 70%以上的市场需求。虽然近几年锗作为稀缺战略储备 资源得到保护,锗出口量大幅减少,但仍保有每年约 50t 左右的出口。(锗行业竞争格局跟稀土类似,都是战略资源,中国都是主要供应国,就是买不起价)。锗最大需求量行业,该行业当前景气度情况,锗的三种主要应用四氧化锗(光纤),二氧化锗(红外、保健器,化妆、药品、聚酯纤维),锗单品(半导体、太阳能电池)。


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  需求最大是光纤、红外,其次是光伏太阳能电池。光纤:光纤主要应用是通讯,在17 年,宽带普及,光纤到户的建设来动行业增长,但在 17 年后国内宽带普及率到天花顶后开始需求下滑,建设也大幅度下滑。前期光纤企业扩产,行业需求萎缩后,光纤价格下滑,大部分光纤生产企业都被淘汰。5G 建设是光纤未来的看点,但 5G 传输网的光纤需求量增加量不能与光纤到户 FTTH 网的建设用量相比,或者说是不能弥补 FTTH 的需求下滑。光纤行业处于底部,未看到有反弹。红外:锗有独特的光学特性,适合应用于红外系统中的光学器件。红外的传统应用是军工,有 90 多亿美元市场。而民用大概是 55 亿美元市场规模。整体市场一向比较平稳,个位数增长。疫情带动了红外测温器的爆发,但本身红外测温器的单价低,锗作为部分光学期间的价值占比就更小,没有带来明显业绩贡献。除材料级的锗产品,其他产品都拟扩产,包括毛利只有 14-16 的红外锗和光纤锗产品。产能提升最大的光伏级锗、半导体锗,主要是在投资两个项目。


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  主要细化一下第二代半导体,砷化镓工艺:与大部分化合物半导体工艺类似,砷化镓生生产过程主要是,单晶片(衬底)、外延片、设计和晶圆代工、封测器件。


  全球砷化镓产业链各环节大部分由国际厂商垄断。砷化镓单晶方面,半绝缘型砷化镓衬底的主要生产商有德国的 Freiberger、美国的 AXT、日本住友集团(Sumitomo) 及其子公司 Sciocs,三家公司几乎垄断了全球 90%以上的市场份额。晶圆方面,台湾 稳懋为第一大代工厂,占比为 71.1%,第二、第三为宏捷科技(AWSC)、环宇科技 (GCS),占比分别为 8.7%和 8.4%。从砷化镓元件看,三家 IDM 厂商 Skyworks、Qorvo 和Broadcom(Avago)在元件领域分别占据 32.3%、26.0%和 9.1%,呈现三寡头格局。


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  砷化镓单晶的生成,主要是把砷和镓加热,砷变成蒸汽输送镓的熔融态合成高纯度的多晶砷化镓。然后可以通过两种方法,把多晶生长,形成砷化镓单晶,再通过研磨切割和抛光就可以变成砷化镓晶片。砷化镓晶片还不是直接用于晶圆制造。因为化合物半导体的晶体特性,单晶片会有晶体缺陷,因此还要做外延,即在单晶片上形成一层薄膜层,这层薄膜才是晶圆加工对象,衬底经过外延后,叫外延片,是晶圆加工的原材料。


  磷化铟的工艺过程流程是一样的,只是工艺方法会不同。工艺的难度是非常高,国内不是没有从事衬底的企业,不少研究院都说有突破云云。关键在良器率。部分企业披露通常成品率不到 3 成,达到 40%-50%已经可以在媒体吹嘘了。工艺良品率不高,也是国外长商依然占 90%市场的主要原因。


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  公司企业技术中心为国家五部委认定的国家级企业技术中心 ,承担国家 863 计划,国家工信部工业强基工程重大专项、国家重点研究计划等国家、省部级项目共计 12 项。建成多条新材料产业化生产线。打破多项国外技术封锁,实现了国产化替代.目前产能方面,公司 2013 年成立云南鑫耀半导体公司,开始实施“砷化镓单晶材料产业化项目建 设”,2017 年实施“5 万片/年 2 英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”,2019 年实施 “磷化铟单晶片建设项目”。2019 年年报中,公司披露拥有砷化镓单晶片产能为 80 万 片/年(折合四寸)。公司的四大项目是云南省 2020 年的重点建设项目:


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  2019 年公司对砷化镓单晶片结 构进行调整,单晶片已由原来的 LED 级别产品为主,逐渐向低位错、半绝缘级别转变,低位错、半绝缘级别产品主要用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)、大功率激光器的生产等,加工技术难度大,但其单位价值也比 LED 级别产品高,砷化镓结构改变使得公司在半导体材料市场中更受欢迎,预计将带动公司进一步增加营业收入。近期,华为因为武汉华为国内首个芯片厂,就是跟和云南锗业 全力合作。而华为对云南锗业的要求很简单,就是保障供应,确保供应链安全。


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  华为,磷化铟、砷化镓唯一认证供应商,公司旗下的鑫耀半导体材料负责磷化铟、砷化镓衬底,保障供应。鑫耀半导体材料为公司实施砷化镓和磷化铟项目的主体,其中砷化镓的主要下游为手机中的射频芯片,功率放大器芯片(PA)、磷化铟的主要下游主要为光通信的基础芯片,均为华为自主替代的国产化的关键。


  磷化铟的应用场景基本与砷化镓一样,但磷化铟有更高的性能,但成本也相对比较高,市场应用没有砷化镓成熟,市场规模不足 1 亿美元,潜力最大的市场是卫星通讯、太阳能电池,可做到 100GHZ 频率、44.7%转换效率。公司的应用主要是通讯的激光器和探测器,这个之前说了,市场还没有到,未来有想象空间的,6G 等领域、激光雷达等都是未来潜在的主线。


  总结:

  

  公司非锗半导体材料等业务想象空间大。公司目前已有砷化镓单晶片生产线,产能为80 万片/年(折合四寸),产品结构也由原来的 LED 级别产品为主逐渐向低位错、半绝缘级别转变, 更加符合市场需求,是华为武汉国内首个芯片厂(光通信芯片跟模块)的供应商。另外,公司还有 3 万片的 6 英寸碳化硅项目正在建设当中。


  风险提示:

  

  1,业绩不及预期;

  

  2,第二代、第三代半导体项目进展不及预期;


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